Моя заявка (0)

DMN4036LK3-13, Транзистор N-MOSFET, полевой, 40В, 9,4А, 4,12Вт, TO252

DMN4036LK3-13, Транзистор N-MOSFET, полевой, 40В, 9,4А, 4,12Вт, TO252

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005646782
Артикул
DMN4036LK3-13
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.42
Серия
DMN40
Корпус
to252
Продукт
MOSFET Small Signal
Цена по запросу
(от 96,65 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор ENHANCE MODE МОП-транзистор 40V N-CHANNEL

Технические параметры

Вес, г0.42
СерияDMN40
Корпусto252
ПродуктMOSFET Small Signal
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада9.5 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокTO-252-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора9.2 nC
Время нарастания11.7 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности4.12 W
Id - непрерывный ток утечки12.2 A
Размер фабричной упаковки2500
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток26 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток40 V
Пороговое напряжение на затворе2.5V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения11.6 ns
Типичное время задержки при включении3.2 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А9.4
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.19.6 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт4.12
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация