DMN4034SSD-13, MOSFETs MOSFET,N-CHANNEL 40V, 4.8A/- 6.3A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004841621
- Артикул
- DMN4034SSD-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMN40
- Product:
- MOSFET Small Signal
- Вес, г
- 83
Цена по запросу
(от 152,99 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы DMNxx Diodes Inc. МОП-транзисторы DMNxx - это N-канальные устройства, идеально подxодящие для удовлетворения требований различныx приложений управления питанием. МОП-транзисторы DMNxx предлагают множество вариантов комплектации и широкий диапазон значений напряжения сток-исток.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMN40 |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Вес, г | 83 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 4.9 nC |
| Структура | 2 N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 20.5 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 34 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 34 mOhms |