Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET, 7 A, 40 V, 8-Pin SOIC DMN4031SSD-13
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8954663666
- Артикул
- DMN4031SSD-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Width
- 3.95mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMN40
- Pin Count
- 8
Цена по запросу
(от 190 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Width | 3.95mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMN40 |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 3.1 ns |
| Rise Time: | 9.7 ns |
| Вес, г | 0.4 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOIC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 18.6 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 1.42 W |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 2.6 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 18.6 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.4 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19.8 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 7 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.6V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 11 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 50 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 7 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 31 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |