DMN4026SK3-13, MOSFETs 40V N-Ch Enh FET 20Vgss 1.6W 1181pF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059285
- Артикул
- DMN4026SK3-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 1
- Серия
- DMN40
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 106 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 40V N-Ch Enh FET 20Vgss 1.6W 1181pF
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Серия | DMN40 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 3.1 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 9.6 nC |
| Время нарастания | 4.6 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 3.4 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 28 A |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 20 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 19.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4.3 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |