Моя заявка (0)

DMN4020LFDE-7,Power MOSFET, N Channel, 40 V, 8 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Surface Mount

DMN4020LFDE-7,Power MOSFET, N Channel, 40 V, 8 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009437397
Артикул
DMN4020LFDE-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMN40
Fall Time:
4.8 ns
Rise Time:
7.1 ns
Цена по запросу
(от 350 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMN40
Fall Time:4.8 ns
Rise Time:7.1 ns
Вес, г0.121
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:DFN-2020-6
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:19.1 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:2.03 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:5.3 ns
Typical Turn-Off Delay Time:15.1 ns
Id - Continuous Drain Current:8 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:20 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.03
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.015 Ом

Техническая документация