Моя заявка (0)

DMN4010LFG Type N-Channel MOSFET, 14.2 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333 DMN4010LFG-7

DMN4010LFG Type N-Channel MOSFET, 14.2 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333 DMN4010LFG-7

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8765323919
Артикул
DMN4010LFG-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMN40
Вес, г
1
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMN40
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerDI3333-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:17 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
ОсобенностиEnhancement Mode
Pd - Power Dissipation:2.45 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current:11.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:12 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А14.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация