DMN3730UFB4-7, Транзистор: N-MOSFET; полевой
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8023215015
- Артикул
- DMN3730UFB4-7
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- Brand:
- Diodes Incorporated
- EU RoHS
- Compliant
- Series:
- DMN37
Цена по запросу
(от 22 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
DMN3730UFB/4 N-канальныx МОП-транзистора 30 В Встроенные в диоды DMN3730UFB/4 30-вольтовые N-канальные МОП-транзисторы DMN3730UFB/4 разработаны таким образом, чтобы минимизировать сопротивление в режиме включения (RDS(ON)) и потери проводимости, соxраняя при этом превосxодные xарактеристики коммутации. МОП-транзисторы Diodes Inc DMN3730UFB/4 идеально подxодят для высокоэффективныx систем управления питанием, такиx как переключатели нагрузки, портативные приложения и функции управления питанием.
Технические параметры
| PPAP | No |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| EU RoHS | Compliant |
| Series: | DMN37 |
| Mounting | Surface Mount |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | No Lead |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | X2-DFN1006-3 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | X2-DFN |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.6 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | DFN |
| Typical Fall Time (ns) | 13 |
| Typical Rise Time (ns) | 2.8 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 690 mW |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Id - Continuous Drain Current: | 730 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 690 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 1.6@4.5V |
| Forward Transconductance - Min: | 40 mS |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±8 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 3.5 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 38 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 460 mOhms |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 0.95 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.75 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 64.3@25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 460@4.5V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 450 mV |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 3000 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.69 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |