DMN3730U-7, Транзистор: N-MOSFET; полевой
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070052068
- Артикул
- DMN3730U-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Case
- SOT23
- Width
- 1.4mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMN37
Цена по запросу
(от 62,08 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Case | SOT23 |
| Width | 1.4mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMN37 |
| Version | ESD |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 13 ns |
| Rise Time: | 2.8 ns |
| Вес, г | 0.02 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 0.75A |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 0.45W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.6 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±8V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 0.46Ω |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 30V |
| Pulsed drain current | 10A |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 710 mW |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 710 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1.6 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.5 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 38 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 940 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 0.95V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 730 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 940 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 460 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 450 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |