Diodes Inc N-Channel MOSFET, 5.8 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 DMN3404L-7
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017329772
- Артикул
- DMN3404L-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand
- Diodes Incorporated
- Width
- 1.4mm
- Series
- DMN3404
- Product
- MOSFET Small Signal
Цена по запросу
(от 17 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand | Diodes Incorporated |
| Width | 1.4mm |
| Series | DMN3404 |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Fall Time | 2.84 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 6.18 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Package Type | SOT-23 |
| Product Type | MOSFET |
| Корпус | SOT-23 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 11.3 nC |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 1.4 W |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 720 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 9.2 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 3.41 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 13.92 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 4.6 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 42 mΩ |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.8 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 28 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 24мОм |