DMN33D9LV-7A, Транзистор: N-MOSFET x2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8069419019
- Артикул
- DMN33D9LV-7A
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation N Channel
- 430мВт
- Power Dissipation P Channel
- 430мВт
Цена по запросу
(от 51,24 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation N Channel | 430мВт |
| Power Dissipation P Channel | 430мВт |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 350мА |
| Рассеиваемая Мощность | 430мВт |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.2Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.2Ом |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-563 |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 350мА |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 350мА |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 30В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 30В |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.2Ом |