Моя заявка (0)

DMN33D9LV-7A, Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 0.2 ohm

DMN33D9LV-7A, Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 0.2 ohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004134958
Артикул
DMN33D9LV-7A
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.2
Channel Type
N Channel
Структура
N-Channel
Особенности
полевая сборка
Цена по запросу
(от 60 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.2
Channel TypeN Channel
СтруктураN-Channel
Особенностиполевая сборка
Power Dissipation N Channel430мВт
Power Dissipation P Channel430мВт
Количество Выводов6вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока350мА
Рассеиваемая Мощность430мВт
Drain Source On State Resistance N Channel0.2Ом
Drain Source On State Resistance P Channel0.2Ом
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs1.4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-563
Непрерывный Ток Стока, N Канал350мА
Непрерывный Ток Стока, P Канал350мА
Максимальная Рабочая Температура150°C
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал30В
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал30В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.2Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.2 Ом

Техническая документация