Моя заявка (0)
DMN33D8LV-7, MOSFETs 2N7002 Family

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024777647
Артикул
DMN33D8LV-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
13.6 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
2.6 ns
Цена по запросу
(от 62 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:13.6 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:2.6 ns
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFETs
Configuration:Dual
Package / Case:SOT-363-6
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:1.25 nC
Структура2 N-Channel
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel, NPN
Factory Pack Quantity:3000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:430 mW
Typical Turn-On Delay Time:2.9 ns
Typical Turn-Off Delay Time:18.2 ns
Id - Continuous Drain Current:350 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:800 mV
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.43
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)2.4 Ohms

Техническая документация