Моя заявка (0)
DMN33D8LT-7, MOSFETs 33V Dual N-Ch Enh 20Vgss 115mA 240mW

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005059274
Артикул
DMN33D8LT-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMN33
Вес, г
9
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 26,29 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMN33
Вес, г9
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-523-3
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:550 pC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностиполевая сборка
Pd - Power Dissipation:300 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current:200 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:5 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:800 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В33
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.115
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.24
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация