Моя заявка (0)
DMN33D8LDW-7, Транзистор: N-MOSFET x2

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8021885197
Артикул
DMN33D8LDW-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMN33
Fall Time:
13.6 ns, 13.6 ns
Rise Time:
2.6 ns, 2.6 ns
Цена по запросу
(от 19 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMN33
Fall Time:13.6 ns, 13.6 ns
Rise Time:2.6 ns, 2.6 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-363-6
Transistor Type:2 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:1.23 nC
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:350 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:2.9 ns, 2.9 ns
Typical Turn-Off Delay Time:18.2 ns, 18.2 ns
Id - Continuous Drain Current:250 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:2.4 Ohms, 2.4 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:800 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация