Моя заявка (0)

DMN32D0LFB4-7B, 30V 440mA 1.2 @4V,100mA 350mW One N-channel X2-DFN1006-3 Single FETs, MOSFETs RoHS

DMN32D0LFB4-7B, 30V 440mA 1.2 @4V,100mA 350mW One N-channel X2-DFN1006-3 Single FETs, MOSFETs RoHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8055395208
Артикул
DMN32D0LFB4-7B
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
7.9 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
2.5 ns
Цена по запросу
(от 25 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:7.9 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:2.5 ns
Вес, г0.03
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:X2-DFN1006-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:600 pC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:10000
Pd - Power Dissipation:350 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-10 V, +10 V
Typical Turn-On Delay Time:3.4 ns
Typical Turn-Off Delay Time:19 ns
Id - Continuous Drain Current:440 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:1.2 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.2 V

Техническая документация