DMN31D5UFZ-7B, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017566892
- Артикул
- DMN31D5UFZ-7B
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.04
- Серия
- DMN31
- Структура
- MOSFET
- Transistor Polarity
- N Channel
Цена по запросу
(от 15,72 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W
Технические параметры
| Вес, г | 0.04 |
| Серия | DMN31 |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 6.9 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1V @ 250uA |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | X2-DFN0606-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 350 pC |
| Время нарастания | 2 ns |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.5О© @ 100mA,4.5V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 393mW |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 220mA |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 393 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 220 mA |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3.1 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 12 V |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.5 Ohms |