Diodes Inc N-Channel MOSFET, 500 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23 DMN31D5L-7
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014511258
- Артикул
- DMN31D5L-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- 1PCSNChannel
- Width
- 1.4mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 24,10 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Этот МОП-транзистор разработан таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление в режиме включения (RDS(ON)) и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения, что делает его идеальным для высокоэффективныx систем управления питанием.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Width | 1.4mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.2 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 520 mW |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 520 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1.2 nC @ 10V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1.2nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 50pF@15V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 500mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 500 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.6V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.8V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 2 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 500 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.5 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.6V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.35 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.5Ω@10mA, 4V |