DMN3190LDWQ-7, Транзистор: N-MOSFET x2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044644213
- Артикул
- DMN3190LDWQ-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series
- DMN3190LDWQ
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 49 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы DiodesZetex серии DMN3190LDWQ разработаны в соответствии со строгими требованиями автомобильной промышленности.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series | DMN3190LDWQ |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-363 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 2 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 400 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 1 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.8V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.19 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 1 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 190 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |