Моя заявка (0)
DMN3150LW-7, MOSFETs 0.35W 28V 1.6A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005059264
Артикул
DMN3150LW-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMN31
Product:
MOSFET Small Signal
Вес, г
0.01
Цена по запросу
(от 62,87 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMN31
Product:MOSFET Small Signal
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-323-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:350 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-12 V, +12 V
Id - Continuous Drain Current:1.6 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:5.4 S
Rds On - Drain-Source Resistance:88 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:28 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:620 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе2.7V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В28
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.35
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)218mΩ@1.6A, 10V

Техническая документация