Моя заявка (0)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 380 mA, 30 V, 3-Pin SOT-523 DMN313DLT-7

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 380 mA, 30 V, 3-Pin SOT-523 DMN313DLT-7

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8068234453
Артикул
DMN313DLT-7
Бренд
DIODES INC.
Type
1PCSNChannel
Width
0.85mm
Pin Count
3
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 11 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Type1PCSNChannel
Width0.85mm
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOT-523(SC-89)
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Power Dissipation (Pd)280mW
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation520 mW
Typical Gate Charge @ Vgs0.5 nC 4.5 V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)500pC@4.5V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Input Capacitance (Ciss@Vds)36.3pF@5V
Maximum Drain Source Voltage30 V
Continuous Drain Current (Id)270mA
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Maximum Gate Threshold Voltage1.5V
Maximum Drain Source Resistance3.2 Ω
Maximum Continuous Drain Current380 mA
Пороговое напряжение на затворе1.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.38
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.28
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)2Ω@4V, 10mA

Техническая документация