Diodes Inc N-Channel MOSFET, 380 mA, 30 V, 3-Pin SOT-523 DMN313DLT-7
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015180410
- Артикул
- DMN313DLT-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- 1PCSNChannel
- Width
- 0.85mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 11 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Width | 0.85mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-523(SC-89) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Power Dissipation (Pd) | 280mW |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 520 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.5 nC 4.5 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 500pC@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 36.3pF@5V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 270mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.2 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 380 mA |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.38 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.28 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2Ω@4V, 10mA |