DMN30H4D0L-13, MOSFETs N-Ch Enh FET 300V 20Vgs 0.25A 0.31W
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038438812
- Артикул
- DMN30H4D0L-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 1
- Структура
- N-Channel
- Power Dissipation (Pd)
- 310mW
- Особенности
- -
Цена по запросу
(от 100,82 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Структура | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 310mW |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 7.6nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 187.3pF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 250mA |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 300 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.25 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.31 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4Ω@300mA, 10V |