Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025168954
Артикул
DMN30H4D0L-13
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.02
Корпус
SOT-23-3
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
310mW
Цена по запросу
(от 132,88 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.02
КорпусSOT-23-3
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)310mW
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)7.6nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)187.3pF@25V
Continuous Drain Current (Id)250mA
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В300
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.31
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)4Ω@300mA, 10V