Моя заявка (0)
DMN3067LW-7, Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002217123
Артикул
DMN3067LW-7
Бренд
DIODES INC.
Width
1.35mm
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 15 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Width1.35mm
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOT-323
Корпусsot-323
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Forward Diode Voltage1.2V
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation1.1 W
Typical Gate Charge @ Vgs4.6 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage0.5V
Maximum Drain Source Resistance98 mΩ
Maximum Continuous Drain Current2.6 A
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация