DMN3061SWQ-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT323 T&R 10K
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8068874815
- Артикул
- DMN3061SWQ-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 51 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 97 ns
Цена по запросу
(от 39,55 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 51 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 97 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT323 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | SOT-323-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 3.5 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 490 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 12.6 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 60 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.77 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |