Моя заявка (0)

Diodes Inc DMN3060LW N-Channel MOSFET, 2.6 A, 30 V, 3-Pin SOT-323 DMN3060LW-7

Diodes Inc DMN3060LW N-Channel MOSFET, 2.6 A, 30 V, 3-Pin SOT-323 DMN3060LW-7

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015516841
Артикул
DMN3060LW-7
Бренд
DIODES INC.
Series
DMN3060LW
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 55,08 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Серия DiodesZetex DMN3060LW представляет собой N-канальный МОП-транзистор. Он используется в интерфейсныx переключателяx общего назначения, функцияx управления питанием и аналоговыx переключателяx.

Технические параметры

SeriesDMN3060LW
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOT-323
Корпусsot-323
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation500мВт
СтруктураN-Channel
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Gate Threshold Voltage1.8V
Maximum Drain Source Resistance0.6 O
Drain Source On State Resistance0.048Ом
Maximum Continuous Drain Current2.6 A
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока2.6А
Рассеиваемая Мощность500мВт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs1.8В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-323
Максимальная Рабочая Температура150 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.048Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация