Моя заявка (0)
DMN3060LVT-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8032032830
Артикул
DMN3060LVT-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
2.7 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
30.8 ns
Цена по запросу
(от 45,27 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:2.7 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:30.8 ns
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:TSOT-26-6
Product Type:MOSFETs
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:11.3 nC
Структура2 N-Channel
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:830 mW
Typical Turn-On Delay Time:5.8 ns
Typical Turn-Off Delay Time:18.3 ns
Id - Continuous Drain Current:3.6 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.8 V
Пороговое напряжение на затворе-12 V, +12 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)60 mOhms

Техническая документация