DMN3060LCA3-7, MOSFETs MOSFET BVDSS 25V-30V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018750583
- Артикул
- DMN3060LCA3-7
- Бренд
- DIODES INC.
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±12V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 9
Цена по запросу
(от 54,87 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 30 В 3,9 А (Ta) 790 МВт для поверxностного монтажа X4-DSN1006-3
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 9 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 500mA, 8V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 790mW |
| Supplier Device Package | X4-DSN1006-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.677 nC @ 4.5 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 192 pF @ 15 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 8V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.9A(Ta) |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |