Моя заявка (0)

DMN3055LFDBQ-7, Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.032 ohm

DMN3055LFDBQ-7, Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.032 ohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009256360
Артикул
DMN3055LFDBQ-7
Бренд
DIODES INC.
Pin Count
6
Вес, г
0.1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N Channel
Цена по запросу
(от 101 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

DiodesZetex производит N-канальный МОП-транзистор с режимом усиления, разработанный в соответствии со строгими требованиями автомобильной промышленности.

Технические параметры

Pin Count6
Вес, г0.1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeU-DFN2020
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Особенностиполевая сборка
КвалификацияAEC-Q101
Number of Elements per Chip2
Power Dissipation N Channel1.36Вт
Power Dissipation P Channel1.36Вт
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Gate Threshold Voltage1.5V
Maximum Drain Source Resistance0.075 Ω
Maximum Continuous Drain Current5 A
Количество Выводов6вывод(-ов)
Drain Source On State Resistance N Channel0.032Ом
Drain Source On State Resistance P Channel0.032Ом
Стиль Корпуса ТранзистораU-DFN2020
Непрерывный Ток Стока, N Канал5А
Непрерывный Ток Стока, P Канал5А
Максимальная Рабочая Температура150°C
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал30В
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал30В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.032 Ом

Техническая документация