Моя заявка (0)

DMN3042L-13, 30V 5.8A 720mW 26.5mOhm@5.8A,10V 1.4V@250uA 1 N-channel SOT-23-3 MOSFETs ROHS

DMN3042L-13, 30V 5.8A 720mW 26.5mOhm@5.8A,10V 1.4V@250uA 1 N-channel SOT-23-3 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070044663
Артикул
DMN3042L-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMN3042
Fall Time:
4.9 ns
Rise Time:
3.3 ns
Цена по запросу
(от 41,49 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMN3042
Fall Time:4.9 ns
Rise Time:3.3 ns
Вес, г0.04
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:20 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:720 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-12 V, +12 V
Typical Turn-On Delay Time:1.5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:13.9 ns
Id - Continuous Drain Current:5.8 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:21 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:600 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:10000

Техническая документация