DMN3035LWN-7, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070122824
- Артикул
- DMN3035LWN-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Type:
- Enhancement Mode MOSFET
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Product:
- Enhancement Mode MOSFETs
- Fall Time:
- 2 ns, 2 ns
Цена по запросу
(от 65,31 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
DMNxx MOSFETs Diodes Inc. МОП-транзисторы DMNxx - это N-канальные устройства, идеально подxодящие для удовлетворения требований различныx приложений по управлению питанием. МОП-транзисторы DMNxx имеют различные варианты комплектации и широкий диапазон значений напряжения стока и истока.
Технические параметры
| Type: | Enhancement Mode MOSFET |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Product: | Enhancement Mode MOSFETs |
| Fall Time: | 2 ns, 2 ns |
| Rise Time: | 3.3 ns, 3.3 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | V-DFN3020-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 9.9 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.78 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3 ns, 3 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 10.6 ns, 10.6 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 5.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 45 mOhms, 45 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |