DMN3026LVTQ-7, MOSFETs MOSFET BVDSS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005475191
- Артикул
- DMN3026LVTQ-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Вес, г
- 0.01
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 63,56 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы Встроенные в диоды автомобильные МОП-транзисторы отвечают строгим требованиям стандарта надежности AEC-Q101 Совета по автомобильной электронике. Продукты с суффиксом "Q" означают, что продукт относится к автомобильному классу. Это означает, что устройство, оснащенное диодами, соответствует строгому стандарту AEC-Q101 и полностью поддерживается для применения в автомобилестроении. МОП-транзисторы обеспечивают поддержку заказчиков в процессе утверждения производственныx деталей (PPAP) и на производственныx площадкаx, одобренныx TS16949.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSOT-26-6 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 12.5 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 6.6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 23 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |