Моя заявка (0)
DMN3026LVT-7, Trans MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-Pin TSOT-26 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002217122
Артикул
DMN3026LVT-7
Бренд
DIODES INC.
PPAP
No
Type
null
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Цена по запросу
(от 23 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-контактный TSOT-26 T/R

Технические параметры

PPAPNo
Typenull
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count6
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed6
Part StatusActive
ConfigurationSingle Quad Drain
Package Width1.6 mm
Package Length2.9 mm
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTSOT-26
Maximum IDSS (uA)1
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Standard Package NameSOT
Power Dissipation (Pd)1.2W
Typical Fall Time (ns)3
Typical Rise Time (ns)2.5
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)12.5nC@10V
Number of Elements per Chip1
Input Capacitance (Ciss@Vds)643pF@15V
Continuous Drain Current (Id)6.6A
Maximum Power Dissipation (mW)1500
Typical Gate Charge @ 10V (nC)12.5
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)5.7@4.5V|12.5@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)2.2
Maximum Drain-Source Voltage (V)30
Typical Turn-Off Delay Time (ns)12.1
Maximum Gate Threshold Voltage (V)2
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)643@15V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)23@10V
Maximum Gate-Source Leakage Current (nA)100
Пороговое напряжение на затворе1V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6.6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация