Моя заявка (0)
DMN3025LSS-13, Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 8-Pin SO T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017091639
Артикул
DMN3025LSS-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
5.3 ns
Rise Time:
4.4 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 28 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:5.3 ns
Rise Time:4.4 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOIC-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:13.2 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1.4 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:3.3 ns
Typical Turn-Off Delay Time:22.3 ns
Id - Continuous Drain Current:7.2 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:14 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:800 mV
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация