Моя заявка (0)
DMN3024LSD-13, Trans MOSFET N-CH 30V 6.8A 8-Pin SO T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001140452
Артикул
DMN3024LSD-13
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
1
Серия
DMN3024
Продукт
MOSFET Small Signal
Структура
N-Channel
Цена по запросу
(от 51 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 30В, 5,8А, 1,3Вт, SO8 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Вес, г1
СерияDMN3024
ПродуктMOSFET Small Signal
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада8 ns, 8 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияDual
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSO-8
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора2 N-Channel
Qg - заряд затвора12.9 nC, 12.9 nC
Время нарастания3.3 ns, 3.3 ns
кол-во в упаковке3
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов2 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности1.3 W
Id - непрерывный ток утечки7.2 A
Размер фабричной упаковки2500
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток24 mOhms, 24 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения16 ns, 16 ns
Типичное время задержки при включении2.9 ns, 2.9 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6.8
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.16.5 S, 16.5 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация