Моя заявка (0)
DMN3024LK3-13, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8068967331
Артикул
DMN3024LK3-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMN3024
Product:
MOSFET Small Signal
Fall Time:
8 ns
Цена по запросу
(от 20 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMN3024
Product:MOSFET Small Signal
Fall Time:8 ns
Rise Time:3.3 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-252-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:12.9 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:4.1 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:2.9 ns
Typical Turn-Off Delay Time:16 ns
Id - Continuous Drain Current:14.4 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:16.5 S
Rds On - Drain-Source Resistance:24 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт8.9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация