DMN Type N-Channel MOSFET, 15 A, 30 V Enhancement, 8-Pin TSSOP DMN3020UTS-13
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014511254
- Артикул
- DMN3020UTS-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Width
- 3.1mm
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 52 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Этот МОП-транзистор разработан таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление в режиме включения (RDS(ON)) и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения, что делает его идеальным для высокоэффективныx систем управления питанием.
Технические параметры
| Width | 3.1mm |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TSSOP |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Технология: | Si |
| Power Dissipation (Pd) | 1.4W |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Время спада: | 3.2 ns |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Maximum Power Dissipation | 1.4 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 27 nC @ 8V |
| Конфигурация: | Single |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 27nC@8V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±12 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Производитель: | Diodes Incorporated |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.304nF@15V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Торговая марка: | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок: | TSSOP-8 |
| Continuous Drain Current (Id) | 15A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Тип транзистора: | 1 N-Channel |
| Maximum Drain Source Resistance | 50 mΩ |
| Qg - заряд затвора: | 15 nC |
| Maximum Continuous Drain Current | 15 A |
| Время нарастания: | 4.8 ns |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности: | 1.4 W |
| Id - непрерывный ток утечки: | 15 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | -12 V, +12 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 15 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 30 V |
| Минимальная рабочая температура: | -55 C |
| Максимальная рабочая температура: | +150 C |
| Типичное время задержки выключения: | 20.5 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 4.1 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 400 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 15 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки: | 2500 |