Моя заявка (0)
DMN3018SSS-13, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070052172
Артикул
DMN3018SSS-13
Бренд
DIODES INC.
Type
N Channel
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
4.1 ns
Rise Time:
4.4 ns
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

30 В 7,3 А 21 Мом при 10 В, 10 А 1,4 Вт 2.1V@250uA N-канальные МОП-транзисторы SOP-8 соответствуют требованиям ROHS

Технические параметры

TypeN Channel
Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:4.1 ns
Rise Time:4.4 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:SOIC-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:13.2 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Factory Pack Quantity:2500
Power Dissipation (Pd)1.4W
Pd - Power Dissipation:1.7 W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)13.2nC@10V
Vgs - Gate-Source Voltage:-10 V, +10 V
Typical Turn-On Delay Time:4.3 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)697pF@15V
Typical Turn-Off Delay Time:20.1 ns
Continuous Drain Current (Id)7.3A
Id - Continuous Drain Current:7.3 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:21 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V

Техническая документация