Diodes Inc N-Channel MOSFET, 8.7 A, 30 V, 8-Pin SOIC DMN3018SSD-13
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8074827351
- Артикул
- DMN3018SSD-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Case
- SO8
- Width
- 3.95mm
- Version
- ESD
- Mounting
- SMD
Цена по запросу
(от 61 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Case | SO8 |
| Width | 3.95mm |
| Version | ESD |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOIC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 5.2A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Kind of channel | enhancement |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 1.5W |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 30mΩ |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 30V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 13.2 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 30 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 8.7 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |