Моя заявка (0)

DMN3018SSD-13, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 30В, 5,2А, 1,5Вт, SO8

DMN3018SSD-13, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 30В, 5,2А, 1,5Вт, SO8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017543670
Артикул
DMN3018SSD-13
Бренд
DIODES INC.
Case
SO8
Width
3.95mm
Version
ESD
Mounting
SMD
Цена по запросу
(от 74,58 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

CaseSO8
Width3.95mm
VersionESD
MountingSMD
Pin Count8
Вес, г0.07
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOIC
Polarisationunipolar
Drain current5.2A
Mounting TypeSurface Mount
Kind of channelenhancement
Kind of packagereel, tape
Power dissipation1.5W
Type of transistorN-MOSFET x2
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±20V
On-state resistance30mΩ
Transistor MaterialSi
Drain-source voltage30V
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation1.5 W
Typical Gate Charge @ Vgs13.2 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage2.1V
Maximum Drain Source Resistance30 mΩ
Maximum Continuous Drain Current8.7 A
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5.2
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация