Моя заявка (0)
DMN3018SFGQ-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005059235
Артикул
DMN3018SFGQ-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
4.1 ns
Rise Time:
4.4 ns
Вес, г
3
Цена по запросу
(от 67,67 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы Встроенные в диоды автомобильные МОП-транзисторы отвечают строгим требованиям стандарта надежности AEC-Q101 Совета по автомобильной электронике (Automotive Electronics Council). Продукты с суффиксом "Q" означают, что они предназначены для использования в автомобилестроении. Это означает, что устройство соответствует строгому стандарту AEC-Q101 и полностью поддерживается для применения в автомобилестроении. МОП-транзисторы обеспечивают поддержку клиентов с помощью PPAP (процесса утверждения производственныx деталей) и производственныx площадок, одобренныx TS16949.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:4.1 ns
Rise Time:4.4 ns
Вес, г3
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerDI3333-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:13.2 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:2.2 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-25 V, +25 V
Typical Turn-On Delay Time:4.3 ns
Typical Turn-Off Delay Time:20.1 ns
Id - Continuous Drain Current:8.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:21 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2000
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В