DMN3018SFG-7, VDFN-8 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072513281
- Артикул
- DMN3018SFG-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.1
- Серия
- DMN3018
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 39 ₽)
Минимальный заказ: 2000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V N-Ch Enh Mode 25Vgss 1.0W 697pF
Технические параметры
| Вес, г | 0.1 |
| Серия | DMN3018 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 4.1 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | PowerDI3333-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 13.2 nC |
| Время нарастания | 4.4 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.2 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 8.5 A |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 21 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 20.1 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4.3 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.7 V |