Моя заявка (0)
DMN3018SFG-13, MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 25Vgss 1.0W 697pF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018699535
Артикул
DMN3018SFG-13
Бренд
DIODES INC.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
FET Type
N-Channel
Цена по запросу
(от 77,96 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный источник питания для поверxностного монтажа 30 В 8,5 А (Ta) мощностью 1 Вт (Ta) Di 3333-8

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)В±25V
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Вес, г1
RoHS StatusROHS3 Compliant
REACH StatusREACH Unaffected
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250ВµA
СтруктураN-Channel
Base Product NumberDMN3018 ->
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 10A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)1W (Ta)
Supplier Device PackagePowerDI3333-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.2nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds697pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C8.5A (Ta)
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)21 mOhms

Техническая документация