DMN3016LPS-13, MOSFETs N-Ch 30V Enh FET 20Vgss 1.18W 1415pF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059233
- Артикул
- DMN3016LPS-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Тип
- Enhancement Mode MOSFET
- Вес, г
- 0.1
- Длина
- 5.15 mm
- Серия
- DMN3016
Цена по запросу
(от 96 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch 30V Enh FET 20Vgss 1.18W 1415pF
Технические параметры
| Тип | Enhancement Mode MOSFET |
| Вес, г | 0.1 |
| Длина | 5.15 mm |
| Серия | DMN3016 |
| Высота | 1 mm |
| Ширина | 6.15 mm |
| Продукт | Enhancement Mode MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 5.6 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | PowerDI5060-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 25.1 nC |
| Время нарастания | 16.5 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.18 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 10.8 A |
| Коммерческое обозначение | PowerDI |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 16 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 26.1 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4.8 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.18 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |