DMN3016LFDF-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005475188
- Артикул
- DMN3016LFDF-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Вес, г
- 0.01
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 69,50 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DFN-2020-6 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 25.1 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.02 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 12 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |