DMN3016LFDE-13, 30V 12mOhm DFN-6(2x2) MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025171484
- Артикул
- DMN3016LFDE-13
- Бренд
- DIODES INC.
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 0.04
Цена по запросу
(от 39 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 30 В 10 А (Ta) 730 МВт (Ta) для поверxностного монтажа U-DFN2020-6 (тип E)
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.04 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-PowerUDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Power Dissipation (Pd) | 730mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 11A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 730mW(Ta) |
| Supplier Device Package | U-DFN2020-6(Type E) |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 25.1nC |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 15pF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 10A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1415 pF @ 15 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A(Ta) |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 82pF@15V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.73 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 12mΩ@4.5V |