DMN3016LDN-7, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062253933
- Артикул
- DMN3016LDN-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Тип
- Enhancement Mode MOSFET
- Вес, г
- 1
- Длина
- 3 mm
- Серия
- DMN3016
Цена по запросу
(от 96,30 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch 30V Dual Enh 20Vgss 1.1W 1115pF
Технические параметры
| Тип | Enhancement Mode MOSFET |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 3 mm |
| Серия | DMN3016 |
| Высота | 0.8 mm |
| Ширина | 3 mm |
| Продукт | Enhancement Mode MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 5.6 ns, 5.6 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | V-DFN3030-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 25.1 nC, 25.1 nC |
| Время нарастания | 16.5 ns, 16.5 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.6 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 7.3 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 24 mOhms, 24 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 26.1 ns, 26.1 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4.8 ns, 4.8 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.4 V |