Моя заявка (0)
DMN3012LEG-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005059228
Артикул
DMN3012LEG-7
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
44
Структура
MOSFET
Технология
Si
Вид монтажа
SMD/SMT
Цена по запросу
(от 250 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 25V-30V

Технические параметры

Вес, г44
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада2.3 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияDual
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокPowerDI3333-8
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора2 N-Channel
Qg - заряд затвора6.1 nC
Время нарастания2.7 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности2.2 W
Id - непрерывный ток утечки20 A, 10 A
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток10 V, + 10 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток12 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения6.4 ns
Типичное время задержки при включении5.1 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация