Моя заявка (0)

DMN3010LSS-13, 30V 16A 2.5W 9mOhm@10V,16A 1.1V@250uA 1 N-channel SO-8 MOSFETs ROHS

DMN3010LSS-13, 30V 16A 2.5W 9mOhm@10V,16A 1.1V@250uA 1 N-channel SO-8 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044792965
Артикул
DMN3010LSS-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Product:
MOSFET Small Signals
Fall Time:
27 ns
Rise Time:
8 ns
Цена по запросу
(от 170 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Product:MOSFET Small Signals
Fall Time:27 ns
Rise Time:8 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:SOIC-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:43.7 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Pd - Power Dissipation:2.5 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:5.6 ns
Typical Turn-Off Delay Time:45 ns
Id - Continuous Drain Current:16 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:9 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.1 V

Техническая документация