Моя заявка (0)
DMN3010LFG-7, MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005059226
Артикул
DMN3010LFG-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMN3010
Fall Time:
10.7 ns
Rise Time:
19.6 ns
Цена по запросу
(от 94,42 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMN3010
Fall Time:10.7 ns
Rise Time:19.6 ns
Вес, г21
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerDI3333-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:37 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:900 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:4.5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:31 ns
Id - Continuous Drain Current:30 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:8 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2000
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация